[쿠키 경제] 삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 D램 제품(사진)을 개발했다. 머리카락 두께 3000분의 1에 해당하는 극미세 가공 기술이다. 이를 적용하면 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나 원가 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자로선 2000년 150나노 공정부터 8세대 연속 세계 최초 행진이다. 현재 60나노급에 머물러 있는 해외 경쟁업체와의 기술 격차도 1∼2년 이상 벌어지게 됐다.

삼성전자는 40나노급 1기가비트(Gb) DDR2 D램(사진) 제품을 4일 공개했다. 이 제품은 지난해 12월 인텔에 단품 채용 평가를 마쳤다. 40나노 공정으로 D램을 만들면 50나노급일 때보다 생산량을 60% 높일 수 있다. 또 50나노 D램은 1.5V에서 동작하는 반면 40나노 D램은 1.2V에서 동작이 가능해 소비전력을 30% 줄이는 효과도 발휘한다.

삼성전자는 이 기술을 토대로 40나노급 2기가 DDR3 제품을 개발, 올 3분기 안에 양산을 시작할 예정이다. 예전엔 신공정 개발 후 양산까지 2년 정도 걸렸으나 이 기간마저 단축하는 것이다. 불황기에 경쟁사보다 1∼2세대 앞선 공정을 갖춰놓고 시장이 회복될 때 막대한 수익을 창출하려는 전략이다.

현재 세계 D램 시장에서 40나노 전 단계인 50나노 공정으로 양산하는 업체는 삼성전자와 하이닉스반도체뿐이다. 하이닉스도 삼성에 이어 조만간 40나노 D램을 내놓을 계획이다. 반면 3, 4위인 일본 엘피다와 미국 마이크론은 아직 60나노급으로 기술 경쟁력이 우리나라 기업에 6개월∼1년 정도 뒤처져 있다.
엘피다는 1분기 중 50나노 공정을 적용하겠다고 밝혔다. 삼성전자측은 이번 40나노 D램 개발로 해외 기업와의 제조 능력 차이가 1∼2년 이상 확대될 것으로 내다봤다.

삼성전자는 40나노 공정으로 DDR2 D램을 개발했지만 양산은 DDR3로 할 계획이다. 아직까지 D램 시장의 주력제품은 DDR2이지만 곧 DDR3로 대체될 것이라는 판단에서다. DDR3는 DDR2보다 제조비용이 많이 들지만 속도가 빠르고 발열량도 적다.

삼성전자 관계자는 “40나노 D램 시장을 선점함으로써 향후 DDR4 등 차세대 고용량·고성능 제품도 선행 개발, 경쟁력 우위를 지켜가겠다”고 말했다. 국민일보 쿠키뉴스 천지우 기자
mogul@kmib.co.kr

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