[쿠키뉴스=김민석 기자] 삼성전자는 10나노급 8Gb DDR4 D램을 2월부터 양산하고 있다고 5일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 10나노 D램에 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’ ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술을 적용했다.

초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다.

10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속 초절전 설계 기술이 적용돼 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있고 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있다. 미세공정 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 사중 포토 노광 기술을 업계 최초로 D램에도 구현했다.

아울러 D램은 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 초균일 원자 유전막 형성 기술이 필요하다. 10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다.

삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC와 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 선점한다는 전략을 세웠다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 높은 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것”이라며 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램를 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여하겠다”고 말했다. ideaed@kukinews.com

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