ETRI-ANL '고에너지입자 검출 반도체 개발' 협력

ETRI-ANL '고에너지입자 검출 반도체 개발' 협력

반도체 분야 글로벌 경쟁력 확보 및 기술 산업화 제고
고온·저온 교차, 방사선 등 극한 환경 적용
우주항공·국방기술 산업화 기여 기대

기사승인 2025-01-17 13:25:38
지난 6일 미국 일리노이주 아르곤국립연구소(ANL)에서 반도체 기술협력 협약을 체결한 방승찬 ETRI 원장(오른쪽)과 폴 컨스 ANL 디렉터. ETRI

한국전자통신연구원(ETRI)이 미국 에너지부(DOE) 아르곤국립연구소(ANL)와 반도체기술 연구를 위한 협력을 본격 추진한다.

ETRI는 최근 ANL에서 반도체기술 개발을 위한 상호 협력체계 구축을 합의했다고 17일 밝혔다.

ETRI는 2000년대 초부터 고에너지입자 검출기용 실리콘디텍터 개발 및 제작기술을 확보해 실리콘 일괄공정이 가능한 국내 유일 정부출연연구기관이다. 실리콘디텍터는 방사선 같은 입자에서 생성되는 빛이나 전자를 검출하기 위해 사용되는 실리콘 반도체다.

ANL은 2023년부터 ‘상보적 금속산화물 반도체(CMOS)’ IC가 집적된 실리콘검출기(MAPS) 제작을 위해 ETRI와 협력을 추진 중이다.

CMOS IC는 트랜지스터, 저항, 다이오드, 커패시터, 인덕터 등 많은 전자부품을 하나의 칩에 집적해 전력 소모를 최소화하고 고속 동작이 가능하다. 또 MAPS는 물체 또는 입자에서 나온 빛이나 전자를 검출하기 위한 디텍터에서 생성된 전기신호를 처리하기 위한 CMOS IC 가 집적된 실리콘 반도체다.

ETRI와 ANL은 이번 협력체계 구축을 계기로 우주환경에서 발생하는 고에너지 입자를 검출하고 분석하는 새로운 반도체기술을 개발한다.

이를 통해 고온·저온이 교차하고 방사선이 강한 극한의 환경에서 견딜 수 있는 반도체기술 경쟁력을 확보해 우주항공은 물론 국방기술 산업화 능력을 높이는데 기여할 것으로 기대하고 있다.

방승찬 ETRI 원장은 “이번 협약은 ANL의 연구역량과 ETRI의 기술력이 결합돼 미래를 향한 새로운 도약의 기회를 열어줄 것”이라고 말했다.

이에 폴 컨스 ANL 디렉터도“전자이온충돌기(EIC)뿐 아니라 추후 다양한 기술 분야로 협력을 확대, 국가 간 기술발전에 밑거름이 되기를 희망한다”고 답했다.
이재형 기자
jh@kukinews.com
이재형 기자
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