[쿠키뉴스] 송병기 기자 =삼성전자가 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.
삼성전자는 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노=10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 공급해 글로벌 고객 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다.
삼성전자에 따르면 EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 돼 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.
현재 삼성전자는 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.
EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다.
삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.
삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다. 내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 내년부터 DDR5/LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체간 다양한 표준화 활동을 추진해, 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여 나갈 예정이다.
또 삼성전자는 올해 하반기 평택 신규 라인을 가동함으로써 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축할 계획이다.
◇삼성전자 최첨단 D램 상용화 연혁
• 2009.07월 40나노급 2Gb DDR3 양산
• 2010.02월 40나노급 4Gb DDR3 양산
• 2010.07월 30나노급 2Gb DDR3 양산
• 2011.09월 20나노급(2x) 2Gb DDR3 양산
• 2012.11월 20나노급(2y) 4Gb DDR3 양산
• 2013.11월 20나노급(2y) 6Gb LPDDR3 양산(※ 2014.02월 20나노급(2y) 8Gb LPDDR4 양산)
• 2014.02월 20나노(2z) 4Gb DDR3 양산
• 2014.10월 20나노(2z) 8Gb DDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb LPDDR4 양산
• 2014.12월 20나노(2z) 8Gb GDDR5 양산
• 2015.08월 20나노(2z) 12Gb LPDDR4 양산
• 2016.02월 1세대 10나노급(1x) 8Gb DDR4 양산
• 2016.09월 1세대 10나노급(1x) 16Gb LPDDR4/4X 양산
• 2017.11월 2세대 10나노급(1y) 8Gb DDR4 양산
• 2019.03월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 개발
• 2019.06월 2세대 10나노급(1y) 12Gb LPDDR5 양산
• 2019.09월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 양산
• 2020.03월 4세대 10나노급(1a) D램(EUV) 개발
• 2021년 4세대 10나노급(1a) 16Gb DDR5/LPDDR5(EUV) 양산 예정
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