삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’을 양산한다.

지난해 2월 ‘1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램’을 양산한 삼성전자가 21개월 만에 1y나노 D램 양산에 성공했다.

1y나노 D램은 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 10나노급 1세대 D램보다 생산성을 약 30% 높일 수 있다. 또 지난 2012년 양산한 2y나노(20나노급) 4Gb DDR3보다 용량, 속도, 소비전력효율 등에서 2배 향상됐다.

삼성전자는 초고속‧초절전‧초소형 회로 설계를 통해 기존 1세대 10나노급 D램 속도보다 10% 이상 향상했으며, 소비 전력량은 15% 이상 절감했다.

또 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템으로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인, 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 높였다.

1y나노 D램에는 2세대 에어 갭(Air Gap) 공정이 적용됐다. 에어갭 공정은 전류가 흐르는 비트라인(bit line) 주변의 미세 영역을 절연 효과가 뛰어난 공기로 채우는 것이다. 

이 기술을 이용해 비트라인 주변의 불필요한 전하량을 최소화할 수 있으며, 나아가 초고감도 셀 개발도 가능케 한다. 

글로벌 고객의 프리미엄 D램 수요 증가에 적기 대응할 수 있는 경쟁력을 갖춘 삼성전자는 2세대 10나노급 D램 양산체제로 돌입한다.

또 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 D램 라인업으로 서버, 모바일 및 그래픽 시장 등 프리미엄 메모리 시장을 지속 선점해 나갈 계획이다.

이승희 기자 aga4458@kukinews.com