[쿠키뉴스=구현화 기자] 삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV 적층 기술을 적용해 최대 용량, 초절전 특성을 동시에 구현한 ‘128기가바이트(GB) 서버용(RDIMM) D램 모듈’을 본격 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.

TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의
절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.



삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 '64기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈' 양산에 성공해 3차원 D램 시장을 창출한 데 이어,
'128기가바이트 TSV D램 모듈' 양산으로 D램 용량 한계를 돌파했다.

128기가바이트 D램 모듈에는 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이루어져 있으며, 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.

TSV 기술은 기존 와이어(금선)을 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 더욱 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있다.

특히 이번 128기가바이트 TSV D램 모듈은 기존 와이어(금선)을 이용한 64기가바이트 D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2,400Mbps를 구현하면서도 (최대 3200Mbps까지 가능) 소비전력량을 50%나 줄일 수 있다.

또한 삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용해 '128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 연이어 양산해 'TSV 풀라인업'을 제공하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 한 단계 높인다는 전략이다. kuh@kukinews.com

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