삼성전자가 ‘세계 최고 속도’의 16Gb GDDR6(Graphics Double Data Rate 6) D램‘을 양산을 본격 시작했다고 18일 밝혔다.

2014년 12월 세계 최초로 8Gbps 20나노 8Gb GDDR5 D램 양산을 시작한 삼성전자는 이번에 속도와 용량을 2배 이상 높인 18Gbps의 10나노급 16Gb GDDR6 D램 양산을 지난달 개시했다.

이번 10나노급(1x) 그래픽 D램 양산을 통해 삼성전자는 PC, 서버, 모바일용 D램에 이어, 그래픽 D램까지 10나노급 공정을 적용해 프리미엄 D램 시장에서 입지를 한층 강화한다는 방침이다.

삼성전자의 10나노급 16Gb GDDR6 D램은 GDDR5 D램 대비 2배 빠른 속도와 저전력 설계(1.55V→1.35V)로 전력효율이 35% 이상 향상됐고, 20나노 공정 대비 칩 크기가 줄어 생산성이 약 30% 증가되는 등 초고속, 고용량, 초소형, 초절전 특성을 전면에 내세운다.

삼성전자는 이를 통해 크기와 소비전력을 대폭 줄인 대용량의 차세대 그래픽 카드 출시가 가능해지고 인공지능(AI), 가상현실(VR), 8K UHD 초고화질 영상과 같은 차세대 시스템 개발 업체에도 최적의 솔루션이 될 것으로 내다봤다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀장은 “이번 16Gb GDDR6 D램 양산으로 글로벌 고객들에게 최고 속도·최대 용량의 라인업을 적기에 공급하게 됐다”며 “향후에도 차세대 GDDR6 그래픽 D램을 한 발 앞서 출시해 게임과 그래픽 카드 시장을 선점하고 특히 자동차, 네트워크 시장의 수요 증가에도 적극적으로 대응해 나갈 것”이라고 밝혔다.

이번에 삼성전자는 2.4Gbps 8GB HBM2 D램(초당 307GB 데이터 전송), 18Gbps 10나노급 16Gb·8Gb GDDR6 D램(초당 72GB 데이터 전송)을 공급하는 메모리 라인업을 구축했다.