삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램(메모리반도체)을 개발하고 최근 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다. 

삼성전자는 유전율이 높은 신소재를 적용해 커패시터(축전기) 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신설계로 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps(초당 10억비트 전송)를 지원한다. 7.2Gbps는 1초에 30GB(기가바이트) 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 또 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다. 

삼성전자는 12나노급 D램 라인업을 확대하고 데이터센터⋅인공지능⋅차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자는 “내년부터 업계 최선단, 최고 성능 12나노급 D램을 양산하면서 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획”이라고 밝혔다. 


송금종 기자 song@kukinews.com