[쿠키 경제] D램 반도체 주력 제품이 DDR2에서 DDR3로 바뀌고 있다. DDR3 D램은 DDR2보다 동작 속도가 2배 이상 빠르면서 전력 소모는 30% 가량 적은 차세대 제품이다. 전 세계 D램 업체 가운데 고효율 공정으로 DDR3를 양산할 수 있는 곳은 삼성전자와 하이닉스반도체 뿐이어서 차세대 D램 시장도 국내 기업들이 평정할 것으로 예상된다.

하이닉스는 전체 D램 제품에서 DDR3가 차지하는 비중을 현 15% 수준에서 연말 30∼40%까지 높일 계획이라고 24일 밝혔다. DDR2보다 DDR3를 원하는 주문이 급증하고 있기 때문이다. 인텔과 AMD 등 주요 중앙연산처리장치(CPU) 업체들은 하반기부터 대부분의 제품에 DDR3를 채택할 계획이다. 인텔은 지난해 말 서버 프로세서에 DDR3를 탑재한 데 이어 올해 하반기부터는 데스크톱과 노트북 플랫폼에 DDR3를 전면 채택하기로 했다. AMD도 데스크톱은 올 하반기, 노트북은 내년 상반기부터 DDR3 탑재를 늘려나갈 예정이다.

DDR2와 DDR3의 가격 차이도 줄어드는 추세다. 대만 반도체 거래사이트 D램익스체인지에 따르면 1Gb 667㎒ DDR2와 1Gb 1066㎒ DDR3의 고정거래가격은 지난 1월 각각 0.81달러와 1.0달러에서 이달 하반기 1.16달러, 1.25달러로 상승했다.


이에 따라 전체 D램 시장에서의 DDR3 판매 비중은 내년 상반기에 DDR2를 제칠 것으로 보인다. 시장조사업체 가트너는 지난해 4분기 7.15%에 불과했던 DDR3 비중이 내년 2분기 52.09%로 절반을 넘어선 뒤 4분기 66.12%에 이를 것으로 내다봤다. 다른 조사업체 IDC 역시 DDR3 비중이 올해 29%에서 2011년 75%로 급성장할 것으로 전망했다.

외국 D램 업체 중에선 세계 3위 미국 마이크론과 4위 일본 엘피다가 DDR3 생산 대열에 들어섰다. 마이크론은 지난 19일 68나노 공정을 적용한 1기가비트(Gb) DDR3 제품을 출시했다. 엘피다도 지난달 65나노 공정의 1Gb DDR3를 발표하면서 내년 초부터 양산하겠다고 밝혔다.

하지만 두 업체 모두 국내 기업 기술력에는 한참 뒤처지는 수준이다. 이미 50나노급 공정으로 DDR3를 양산하고 있는 삼성전자와 하이닉스는 연내 40나노급으로 상향시킬 계획이다. 국내 업계가 외국보다 1년 이상 앞선 것. 국내 기업의 40나노 D램 생산성은 50나노급보다 50∼60% 높다. 따라서 하반기 40나노 공정이 가동되면 해외 경쟁사들과의 격차는 더욱 벌어질 것으로 보인다.

하이닉스 관계자는 “생산원가 구조상 50나노 이상에서 DDR3를 만들지 못하면 의미가 없다”고 말했다. 증권업계 관계자도 “D램 가격의 최대 이슈는 DDR3인데 후발 업체들이 현금을 소진해 DDR3 시장에 진입하기가 어렵다”며 “국내 업체들이 계속 D램 가격을 이끌어 갈 것”이라고 전망했다. 국민일보 쿠키뉴스 천지우 기자
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