SK하이닉스는 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반의 최대 용량 128GB(기가바이트) 모듈을 세계 최초로 개발했다고 7일 밝혔다. 제품은 내년 상반기부터 양산된다.
이번 제품은 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로, 크기를 줄이면서 성능을 향상시킬 수 있다.
속도 측면에서 DDR4는 DDR3의 데이터 전송속도인 1333밶보다 빠른 2133밶를 구현했다. 또 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
시장조사기관 가트너는 최근 서버용 D램 시장이 2018년까지 연평균 37% 고성장할 것으로 전망했다. 특히 DDR4 D램은 2016년 이후 시장 주력 제품이 될 것으로 예상되고 있다.
SK하이닉스 D램개발본부장 홍성주 전무는 “이번 제품 개발은 세계 최초로 128GB DDR4 모듈로 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “앞으로도 고용량·초고속·저전력의 프리미엄 D램 시장을 주도해 나가겠다”고 말했다.
국민일보 쿠키뉴스 임세정 기자 fish813@kmib.co.kr