SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다. 

12일 SK하이닉스에 따르면 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐으며, 전력 소비도 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다.

하이닉스는 이 제품에 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 것과 같다.

SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프 성능을 강화하는 기술이다. SK하이닉스는 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다. 또한, 데이터 증폭/전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급함으로써 불필요한 전력 사용을 방지했다.

한편 SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐  2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다. 

이승희 기자 aga4458@kukinews.com