SK하이닉스가 데이터센터용 고성능 SSD ‘PEB110 E1.S(PEB110)’를 개발했다.
SK하이닉스는 10일 “AI 시대가 본격화되면서 HBM과 같은 초고속 D램은 물론, 고성능 낸드 솔루션 제품인 데이터센터용 SSD에 대한 고객 수요도 커지고 있다”며 “이런 흐름에 맞춰 당사는 PCIe 5세대(Gen5) 규격을 적용, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 획기적으로 개선한 신제품을 개발해 시장에 선보이게 됐다”고 밝혔다.
앞서 SK하이닉스는 초고성능 제품인 PS1010을 개발해 양산 중이다. PEB110 개발을 통해 한층 탄탄해진 SSD 포트폴리오를 구축, 다양해지는 고객의 요구를 만족시킬 수 있을 것으로 기대하고 있다.
SK하이닉스는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 인증이 마무리되는 대로 오는 2025년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다.
신제품에 적용된 PCIe 5세대는 기존 4세대(Gen4)보다 대역폭이 2배로 넓어졌으며, 이에 따라 PEB110의 데이터 전송 속도는 32GTs(초당 기가트랜스퍼)에 달한다. 이를 통해 PEB110은 이전 세대 대비 성능이 2배 향상됐고, 전력 효율도 30% 이상 개선됐다.
안현 SK하이닉스 부사장(N-S Committee 담당)은 “이번 제품은 최고 성능이 입증된 당사 238단 4D 낸드를 기반으로 개발돼 원가, 성능, 품질 측면에서 업계 최고 수준의 경쟁력을 확보했다”며 "앞으로 당사는 고객 인증과 양산을 순조롭게 진행해 향후 지속적으로 성장해 나갈 데이터센터용 SSD 시장에서도 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더의 위상을 공고히 할 것”이라고 말했다.
